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IT之家 4月28日消息,三星电子周四宣布,将在本季度 (即未来几周内)开始使用 3GAE (早期 3nm 级栅极全能)工艺进行大规模生产。这不仅标志着业界首创 3nm 级制造技术,也是首个使用环栅场效应晶体管 (GAAFETs)的节点。

“这是世界上首次大规模生产的 GAA 3 纳米工艺,将以此提高技术领先地位,”三星在一份报告中写道。

三星3nm芯片将于第二季度开始量产:世界上首次

三星 Foundry 的 3GAE 工艺技术是首次使用 GAA 晶体管 (三星将其称为“多桥沟道场效应晶体管 (MBCFET)”)工艺。

三星3nm芯片将于第二季度开始量产:世界上首次

IT之家了解到,三星大约在三年前正式推出了其 3GAE 和 3GAP 工艺节点。当该公司描述 使用其 3GAE 技术生产的 256Mb GAAFET SRAM 芯片时,它拿出了许多数据。

三星3nm芯片将于第二季度开始量产:世界上首次

三星表示,该工艺将实现 30% 的性能提升、50% 的功耗降低以及高达 80% 的晶体管密度(包括逻辑和 SRAM 晶体管的混合)。不过,三星的性能和功耗的实际组合将如何发挥作用还有待观察。

理论上,与目前使用的 Finfet 相比,Gaafet 有许多优势,例如可大大降低晶体管漏电流 (即,降低功耗)以及挖掘晶体管性能的潜在实力,这意味着更高的产率、和改进的产能。此外,根据应用材料公司最近的报告,GAAFETs 还可以减少 20% 至 30% 的面积。

当然,三星的 3GAE 只是一种“早期”的 3nm 级制造技术,3GAE 将主要由三星 LSI(三星的芯片开发部门)以及可能一两个 SF 的其他 alpha 客户使用。如果这些产品的产量和性能符合预期,那么不久之后我们就可以看到新品大量出货了。

责任编辑:端焰

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